Diseño de un amplificador de potencia multibanda de HF con filtros de eliminación de armónicos.

Abstract

En este trabajo se expone, los fundamentos teóricos de los amplificadores de potencia y los filtros así como aspectos relacionados con el diseño y simulación de un amplificador de potencia clase A para RF (radiofrecuencia), en el cual se utiliza el transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) como elemento amplificador, también sepresenta el diseño y la simulación de una serie de filtros pasivos pasa bandas que puedan eliminar posibles armónicos que afecten la calidad de la señal, estos dos elementos componen la etapa final de hardware necesario para implementar sistemas de Radios Definidos por Software (SDR). En este trabajo se aplica primero el método exploratorio revisando la bibliografía existente sobre la tecnología SDR y los amplificadores de potencia lineales construidos conMOSFET y los filtros pasivos, estableciendo el estado del arte de dichastécnicas. Esto se emplea con el método descriptivo para analizarla y emplearla en el diseño y simulación de un amplificador de potencia clase A para RF y de filtros pasivos para implementar sistemas SDR. Además, se usa el paradigma Empírico-Analítico con enfoque Cuantitativo con operaciones matemáticas para caracterizar las tecnologías de este trabajo. Se aplica el diseño Experimental al manipular los elementos investigados, para obtener las mejores características en los diseños.